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J-GLOBAL ID:200903040629138282

真空浸炭雰囲気ガス制御システム及びそのシステムに用いられる真空浸炭処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 上野 登
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000369907
Publication number (International publication number):2002173759
Application date: Dec. 05, 2000
Publication date: Jun. 21, 2002
Summary:
【要約】【課題】 真空浸炭炉への炭化水素系浸炭ガスの供給量をリアルタイムでコントロールできることにより高品質の浸炭鋼を安定して生産することのできる真空浸炭雰囲気ガス制御システム及びその装置を提供すること。【解決手段】 被浸炭処理材Wがセットされる真空浸炭炉12に炭化水素系浸炭ガス供給経路14と、炉内ガス排気経路18と、炉内及び被浸炭処理材Wの加熱手段22とを備え、前記浸炭ガス供給経路14に該経路を流れる浸炭ガス流量を調整する流量調整器16が設けられると共に、炉12内に炉内ガス圧を検知する圧力計24と、浸炭ガスの熱分解により生じる水素分圧を検知する水素センサ26とが設けられ、圧力計24により検知される炉内ガス圧と水素センサ26により検知される水素分圧に基づいてカーボンポテンシャル(PC)演算器28により炉内のPCを求め、このPCに基づいて流量調整器16のガス流量が調整される。
Claim (excerpt):
被浸炭処理材がセットされる真空浸炭炉内にその被浸炭処理材を浸炭処理すべく炭化水素系の浸炭ガスを供給し、この浸炭ガスの熱分解反応によって生じるカーボンが被浸炭処理材中へ固溶・拡散することにより被浸炭処理材の浸炭処理を行うに際し、この熱分解反応により発生する水素ガスの分圧を浸炭処理中常時計測し、その計測値に基づいて炉内に供給される浸炭ガス量をリアルタイムで調整制御するようにしたことを特徴とする真空浸炭雰囲気ガス制御システム。
IPC (4):
C23C 8/22 ,  C21D 1/06 ,  C21D 1/76 ,  C21D 1/773
FI (4):
C23C 8/22 ,  C21D 1/06 A ,  C21D 1/76 R ,  C21D 1/773 K
F-Term (4):
4K028AA01 ,  4K028AB01 ,  4K028AC03 ,  4K028AC07

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