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J-GLOBAL ID：200903040633684720

2つの結晶化半導体材料を整合させる方法及び半導体素子

Inventor： クロード・ベスビユシユ ,  ジヤン-ピエール・イルツ ,  ルネ・ビザロ
Applicant, Patent owner： トムソン-セーエスエフ
Agent (1)： 川口 義雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991106620
Publication number (International publication number)：1995094408
Application date： Apr. 11, 1991
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 第1の材料からなる基板上に異なる結晶格子定数をもつ第2の材料層を成長させて平面構造を得るために、2種の材料の格子定数間の不整合による応力のため生じる基板の弯曲を回避する方法及びそれ適用した半導体素子を提供する。【構成】 第1材料Si基板5上に第2材料GaAsの不整合な層7を成長させる場合、基板の面9上にGaAsにより誘発される格子膨張を相殺するために、Siより高い原子容のO原子をイオン注入する。Si中に高温、150KeVでO原子を打込むと表面下方でO密度は最高になり、焼鈍すると基板の下方に均一厚さのSiO2層が生成し、その格子は膨張して変形ドメイン6を形成する。基板面9上にGaAs層をエピタキシさせれば不整合が生じるので、低い投与量の第2のイオン打込みで打込み層10を形成する。次に面9上に層7を成長させると基板の凸状弯曲を相殺する凹状湾曲が起り平坦になる。

Claim (excerpt)：

第1の材料でできた基板上に第2の材料でできた層を成長させることにより平面構造を得るために、不整合の結晶格子パラメータを有する2種の結晶化半導体材料を整合させる方法であって、第1のステップにおいて、前記基板上に応力を誘発する変形用ドメインをその結晶構造中に導入することにより該基板を変形し、第2のステップにおいて前記応力を、前記第2の材料の層を前記基板上に成長させることにより課される逆方向応力によって相殺する方法。

IPC (2)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265