磁性薄膜素子および磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：丸島儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998015633
Publication number (International publication number)：1999213650
Application date： Jan. 28, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】微細化可能で情報が安定に保存できる巨大磁気抵抗メモリの提供。【解決手段】垂直磁化膜/非磁性層/垂直磁化膜で磁気抵抗膜を構成する。非磁性層として良導体を用いた場合は、スピン散乱型素子として、絶縁膜を用いた場合はスピントンネル型素子として機能する。この磁性薄膜素子においては、垂直磁化膜を用いているため、磁性薄膜の幅を小さくしても反磁界が大きくなることは無く、安定に磁化保存することができる。

Claim (excerpt)：

低い保磁力を有する垂直磁化膜からなる第1磁性層と、高い保磁力を有する垂直磁化膜からなる第2磁性層が、非磁性層を介して積層されてなる磁気抵抗膜であって、該磁気抵抗膜の抵抗値が、第1磁性層のスピンと第2磁性層のスピンが同じ向きの場合と異なる向きの場合とで、異なることを特徴とした磁性薄膜素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (11)

磁性薄膜メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-181393 Applicant：三菱電機株式会社
磁気抵抗効果素子薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-026379 Applicant：日本電気株式会社
磁気抵抗効果膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-126593 Applicant：三洋電機株式会社

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