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J-GLOBAL ID:200903040648588493

半導体モジュールの冷却構造

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 矢野 寿一郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003412322
Publication number (International publication number):2005175163
Application date: Dec. 10, 2003
Publication date: Jun. 30, 2005
Summary:
【課題】 従来の半導体モジュールの冷却構造では、冷却器に余分な機能を付与していたため構造が複雑になっていた。また、半導体モジュールに冷却器を密着させるためにバネ等の余分な部材が必要となっており、部品点数が増加してコスト高となっていた。【解決手段】 冷却器1に形成したモジュール挿入用穴3に半導体モジュール10を挿入して、半導体モジュール10のモジュール挿入用穴3との当接面から放熱を行う半導体モジュールの冷却構造であって、半導体モジュール10のモジュール挿入用穴3との当接面、およびモジュール挿入用穴3の半導体モジュール10との当接面の、少なくとも一方に軟質性金属層16をコーティングし、半導体モジュール10からの発熱を、軟質性金属層16を通じて冷却器へ放熱する。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
冷却器に形成したモジュール挿入用穴に半導体モジュールを挿入して、半導体モジュールのモジュール挿入用穴との当接面から放熱を行う半導体モジュールの冷却構造であって、 半導体モジュールのモジュール挿入用穴との当接面、およびモジュール挿入用穴の半導体モジュールとの当接面の、少なくとも一方に軟質性金属層をコーティングし、 半導体モジュールからの発熱を、軟質性金属層を通じて冷却器へ放熱することを特徴とする半導体モジュールの冷却構造。
IPC (1):
H01L23/40
FI (1):
H01L23/40 D
F-Term (3):
5F036AA01 ,  5F036BB21 ,  5F036BC01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)

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