Pat

J-GLOBAL ID：200903040649232455

素子分離された水素終端ダイヤモンド半導体素子および該半導体素子の製造方法

Inventor： 山下 敏 ,  川原田 洋 ,  伊藤 正宏 ,  中村 直文
Applicant, Patent owner： 東京瓦斯株式会社
Agent (1)： 沼形 義彰 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995064035
Publication number (International publication number)：1996139109
Application date： Mar. 23, 1995
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 水素終端ダイヤモンド半導体の素子間絶縁分離を提供する。【構成】 表面を水素原子で終端した水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンド1の表面に金からなるドレインオーミックコンタクト3と、ソースオーミックコンタクト4と、アルミニウムからなるゲート電極5を形成するとともに、素子形成領域以外の表面を酸素終端などの非水素終端させた絶縁領域11とからなる水素終端ホモエピタキシャルダイヤモンドを用いたMESFET。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンドの表面を水素終端した領域とダイヤモンド表面を非水素終端させた絶縁領域とを有し、水素終端した領域に半導体素子を設けたことを特徴とする素子分離された水素終端ダイヤモンド半導体素子。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/76

FI (2)：

H01L 29/80 B ,  H01L 21/76 Z