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J-GLOBAL ID：200903040663654591

コンタクト形成方法

Inventor： 坂本 弘美
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993326711
Publication number (International publication number)：1995183250
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【構成】 シリコン基板1のN+シリコン層2上にシリコンナイトライド膜4を形成した後、NSG膜5及びBPSG膜6を形成し、コンタクトホール7を形成する。次に、コンタクトホール7底部のシリコン基板1上の自然酸化膜を除去し、バリアメタル8を形成した後、タングステン9を埋め込み、コンタクトを形成する。【効果】 低ジャンクションリークで良好な特性を有する、高アスペクト比のコンタクトを形成することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にシリコンナイトライド膜を形成した後、層間絶縁膜を形成し、上記コンタクトホ-ルを形成する工程と、上記コンタクトホール内の上記半導体基板表面の自然酸化膜を除去し、バリアメタル層を形成した後、高融点金属を上記コンタクトホールに埋め込むことを特徴とするコンタクト形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 D