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J-GLOBAL ID:200903040666793100

プロトン伝導体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 上野 登
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999336986
Publication number (International publication number):2001155744
Application date: Nov. 29, 1999
Publication date: Jun. 08, 2001
Summary:
【要約】【課題】 電解質膜として高い材料強度が得られ、長期間に亘ってイオン伝導性(電気伝導度)を安定して維持できるイオン伝導体を提供すること。【解決手段】 シリカなどの無機物にスルホン酸基などの酸性官能基を化学結合により導入した物質をパーフルオロスルホン酸系ポリマーなどの高分子電解質材料中に含有させる。その酸性官能基結合無機物質を酸性官能基を有する高分子材料あるいは酸性官能基を有しない高分子材料により結着してもよい。後者の場合無機物質の酸性官能基が電解質基としてイオン伝導性を発揮する。
Claim (excerpt):
無機物に酸性官能基を化学結合により導入した物質を高分子電解質材料中に含有、もしくは、高分子材料により結着してなることを特徴とするイオン伝導体。
IPC (9):
H01M 8/02 ,  B01D 61/44 510 ,  B01D 71/82 ,  C08K 9/04 ,  C08L101/00 ,  C25B 1/10 ,  C25B 13/08 301 ,  H01B 1/06 ,  H01M 8/10
FI (9):
H01M 8/02 P ,  B01D 61/44 510 ,  B01D 71/82 ,  C08K 9/04 ,  C08L101/00 ,  C25B 1/10 ,  C25B 13/08 301 ,  H01B 1/06 A ,  H01M 8/10
F-Term (46):
4D006GA17 ,  4D006JA02Z ,  4D006MA13 ,  4D006MA31 ,  4D006MB07 ,  4D006MB17 ,  4D006MB20 ,  4D006MC24 ,  4D006MC28 ,  4D006MC28X ,  4D006MC65 ,  4D006MC65X ,  4D006MC73 ,  4D006MC73X ,  4D006MC74 ,  4D006MC74X ,  4D006MC75 ,  4D006NA50 ,  4D006PA01 ,  4D006PB02 ,  4D006PB27 ,  4D006PB28 ,  4D006PC01 ,  4J002AA001 ,  4J002BC041 ,  4J002BC121 ,  4J002BP001 ,  4J002BQ001 ,  4J002DE136 ,  4J002DE146 ,  4J002DJ016 ,  4J002FB096 ,  4J002FB156 ,  4J002GQ02 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021DB32 ,  4K021DC01 ,  4K021DC03 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5H026AA06 ,  5H026BB08 ,  5H026BB10 ,  5H026EE11 ,  5H026EE19

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