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J-GLOBAL ID:200903040668507899

多層電場発光デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石田 敬 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002283364
Publication number (International publication number):2003133076
Application date: Sep. 27, 2002
Publication date: May. 09, 2003
Summary:
【要約】【課題】 高輝度多層電場発光デバイスを提供すること。【解決手段】 カソード、アノード、発光層、及び該カソードと該アノードとの間に配置された下式(1)で表されるナフタレン系化合物を含有する層を含んで成る多層電場発光デバイス。【化1】上式中、mは0、1又は2であり、Raは、各々独立に選ばれた置換基であり、かつ、nは各々独立に0〜3であり、Araは、各々独立に選ばれた芳香族基であり、そしてArbは、各々独立に選ばれた炭素環式芳香族基であるが、但し、2個の環置換基が連結して一つの環を形成していてもよい。
Claim (excerpt):
カソード、アノード、発光層、及び該カソードと該アノードとの間に配置された下式(1)で表されるナフタレン系化合物を含有する層を含んで成る多層電場発光デバイス。【化1】上式中、mは0、1又は2であり、Raは、各々独立に選ばれた置換基であり、かつ、nは各々独立に0〜3であり、Araは、各々独立に選ばれた芳香族基であり、そしてArbは、各々独立に選ばれた炭素環式芳香族基であるが、但し、2個の環置換基が連結して一つの環を形成していてもよい。
IPC (2):
H05B 33/22 ,  H05B 33/14
FI (2):
H05B 33/22 D ,  H05B 33/14 A
F-Term (3):
3K007AB02 ,  3K007CB04 ,  3K007DB03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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