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J-GLOBAL ID：200903040669890912

光導波路型圧力センサ

Inventor： 長沢 泰之
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994174265
Publication number (International publication number)：1996043227
Application date： Jul. 26, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は製作が容易で、信頼性向上のための小型化及び大量生産が容易な光導波路型圧力センサを提供することを目的とする。【構成】本発明に係る圧力センサは、光導波路型圧力センサにおいて、シリコン基板1に、半導体プロセス技術により形成した圧力感知部2と、前記シリコン基板1の圧力感知部2上に、半導体のプロセス技術により形成した測定用光導波路3と、前記シリコン基板1の圧力感知部2以外の場所に、半導体のプロセス技術により形成した参照用光導波路4を具備し、前記測定用光導波路3と参照用光導波路4はシリコン系材料で形成し、前記測定用光導波路3は、圧力感知部2の圧力による変形を光信号に変換することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

光導波路型圧力センサにおいて、(A)シリコン基板(1)に、半導体プロセス技術により形成した圧力感知部(2)と、(B)前記シリコン基板(1)の圧力感知部(2)上に、半導体のプロセス技術により形成した測定用光導波路(3)と、(C)前記シリコン基板(1)の圧力感知部(2)以外の場所に、半導体のプロセス技術により形成した参照用光導波路(4)を具備し、(D)前記測定用光導波路(3)と参照用光導波路(4)はシリコン系材料で形成し、(E)前記測定用光導波路(3)は、圧力感知部(2)の圧力による変形を光信号に変換することを特徴とする光導波路型圧力センサ。

IPC (2)：

G01L 11/02 ,  H01L 29/84