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J-GLOBAL ID：200903040672385838

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

Inventor： 山本 剛 ,  竹内 有一 ,  片岡 光浩
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998243706
Publication number (International publication number)：1999330091
Application date： Aug. 28, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ベース領域を部分的に深くしたディープベース層を小さなイオン注入エネルギーで形成する。【解決手段】 n+ 型ソース領域4a、4bを貫通してn- 型炭化珪素エピ層2に達する凹部50、60を形成しておき、n+ 型ソース領域4a、4b及び凹部50を含む、n- 型炭化珪素エピ層2の所定領域にイオン注入を行い、p- 型炭化珪素ベース領域3a、3bを形成する。このように、凹部50を形成しておくことによって、この凹部50の部分では部分的に深くまでイオン注入が行われ、この深くなった部分をディープベース層30a、30bとすることができる。このため、小さなエネルギーのイオン注入でディープベース層30a、30bを形成することができる。

Claim (excerpt)：

炭化珪素からなる第1導電型の半導体基板(1)の主表面上に、この半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)を形成する工程と、前記半導体層の表層部の所定領域に、該半導体層よりも低抵抗な第1導電型のソース領域(4a、4b)を形成する工程と、前記ソース領域を貫通して前記半導体層に達する凹部(50、60)を形成する工程と、前記ソース領域及び前記凹部を含む、前記半導体層の所定領域にイオン注入を行い、前記ソース領域よりも接合深さが深い第2導電型のベース領域(3a、3b、30a、30b)を形成する工程と、前記ソース領域と前記半導体層との間における前記ベース領域上に、ゲート絶縁膜(7)を介してゲート電極(8)を形成すると共に、前記ベース領域及び前記ソース領域に接触するソース電極(10)を形成する工程と、前記半導体基板の前記主表面とは反対側にドレイン電極(11)を形成する工程と、を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 29/78 658 B ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78 652 C ,  H01L 29/78 652 T