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J-GLOBAL ID：200903040691458854

半導体記憶装置

Inventor： 岡島 義憲
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996017990
Publication number (International publication number)：1997213068
Application date： Feb. 02, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、チップ面積の増加をもたらすことなく複数の同一動作を行うメモリブロックを用意することによって、高速なアドレスアクセスを可能にするメモリを提供することを目的とする。【解決手段】本発明の装置は、各々が選択的にM種類(Mは2以上の整数)の動作を行う複数のブロックと、M以下の数のブロックを該複数のブロックから選び出し、選び出されたM以下の数のブロックの各々を順次選択する制御手段を含み、選び出された複数のブロックにおいて該動作を所定の順番で実行させ、該M以下の数のブロックをパイプライン動作させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

各々が選択的にM種類(Mは2以上の整数)の動作を行う複数のブロックと、M以下の数のブロックを該複数のブロックから選び出し、選び出されたM以下の数のブロックの各々を順次選択する制御手段を含み、選び出された複数のブロックにおいて該動作を所定の順番で実行させ、該M以下の数のブロックをパイプライン動作させることを特徴とする装置。

IPC (2)：

G11C 11/401 ,  G11C 7/00 312

FI (3)：

G11C 11/34 362 C ,  G11C 7/00 312 Z ,  G11C 11/34 362 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-077236   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭64-062894