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J-GLOBAL ID：200903040694830797

半導体装置

Inventor： 吉田 隆幸 ,  三村 忠昭 ,  藤本 博昭 ,  山根 一郎 ,  山下 太紀夫 ,  松木 敏夫 ,  春日 義昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  松下電子工業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995288564
Publication number (International publication number)：1997134998
Application date： Nov. 07, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】相対向した半導体素子間に誘起されるクロストークノイズを低減することができる半導体装置を提供する。【解決手段】第1の半導体素子1と、この第1の半導体素子1を対向してバンプ4を介して電気的に接続する第2の半導体素子5とを備え、第2の半導体素子5は、第1の半導体素子1よりも面積が大きく、かつ第1の半導体素子1の素子領域7により覆われる部分以外の部分に配線層および素子領域8を形成している。

Claim (excerpt)：

第1の半導体素子と、この第1の半導体素子を対向して金属突起を介して電気的に接続する第2の半導体素子とを備え、前記第2の半導体素子は、前記第1の半導体素子よりも面積が大きく、かつ前記第1の半導体素子の素子領域により覆われる部分以外の部分に配線層および素子領域を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 25/08 B ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 27/04 E