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J-GLOBAL ID：200903040699532670

走査電子顕微鏡等の低真空二次電子検出装置

Inventor： 小室 浩之 ,  富澤 淳一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立サイエンスシステムズ
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999333834
Publication number (International publication number)：2001155675
Application date： Nov. 25, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】走査電子顕微鏡等の低真空二次電子検出装置のバイアス電極において、その電極が他の検出器を破損させないように、用途により奪着していて手間がかかった。このような課題の操作性をさらにより良くする。【解決手段】検出効率を上げるためのバイアス電極を可動式の半導体反射電子検出装置に組み込み一体化することで操作性が向上し、課題を解決することができる。【効果】走査電子顕微鏡等の画像観察において、バイアス電極を取付けた半導体形反射電子検出装置と低真空二次電子検出装置を観察する時の検出器の信号切換えが容易となり操作性が向上する。また反射電子+低真空二次電子のミキシング画像機能を実現することができる。

Claim (excerpt)：

低真空中の像信号を検出する一手段であるガス増幅を利用した、試料からの二次電子と等価な+イオンを検出する検出器において、その検出効率を上げるための高電圧を印加するバイアス電極構造が、試料からの反射電子を検出する半導体形反射電子検出器と一体になっていることを特徴とした走査電子顕微鏡等の低真空二次電子検出装置。

F-Term (3)：

5C033NN01 ,  5C033NN02 ,  5C033NP08