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J-GLOBAL ID：200903040702262930

窒化ガリウム結晶の製造方法

Inventor： 油利 正昭 ,  上田 哲三 ,  馬場 孝明
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997090674
Publication number (International publication number)：1998287497
Application date： Apr. 09, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 結晶性に優れた窒化ガリウム厚膜結晶を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に、非晶質の二酸化ケイ素薄膜2を形成し、その後、この二酸化ケイ素薄膜2上に、単結晶のシリコン薄膜3を形成し、さらにこのシリコン薄膜3上に窒化ガリウム4を形成する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に非晶質二酸化ケイ素薄膜及び前記二酸化ケイ素薄膜上に単結晶シリコン薄膜を形成した後に、前記シリコン薄膜上に窒化ガリウムを形成することを特徴とする窒化ガリウム結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/12 ,  H01S 3/18

FI (4)：

C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-319102   Applicant：松下電子工業株式会社
• III族窒化物半導体のエピタキシャル成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-059034   Applicant：松下電子工業株式会社, 杉野隆