Pat
J-GLOBAL ID:200903040703604320
半導体ウエーハの加工方法
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小野 尚純
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001181489
Publication number (International publication number):2002373870
Application date: Jun. 15, 2001
Publication date: Dec. 26, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 半導体ウエーハを裏面研削によって著しく薄くする場合にも、半導体ウエーハを損傷することなく裏面研削ができ、容易に搬送でき、そして更に裏面研削の後に半導体ウエーハの表面に自由にアクセスすることが可能である、半導体ウエーハ加工方法を提供する。【解決手段】 研削工程とその後に表面からアクセスして所要処理を加える処理工程との間に、半導体ウエーハ2を外側リング部材12a及び内側リング部材12bから成るフレーム及び装着テープ10から離脱させると共に、別個のフレーム22に装着テープ24を介して装着する移し替え工程を遂行する、或いは半導体ウエーハ2をフレーム自体に、半導体ウエーハ2の表面に貼着されていた装着テープに代えて半導体ウエーハの裏面に貼着された装着テープを介して装着する装着テープ交換工程を遂行する。
Claim (excerpt):
表面には格子状に配列されたストリートによって区画された多数の矩形領域が配設されており、該矩形領域の各々には半導体回路が施されている半導体ウエーハの加工方法にして、中央部に装着開口を有する第一のフレームに、該装着開口を跨がって延びる第一の装着テープを装着すると共に、半導体ウエーハの表面を該第一の装着テープに貼着せしめて該第一のフレームの該装着開口内に装着する装着工程と、該第一のフレームに装着された半導体ウエーハの表面を該第一の装着テープを介してチャック手段上に吸着し、半導体ウエーハの裏面に研削手段を作用せしめて半導体ウエーハの裏面を研削して半導体ウエーハの厚さを低減せしめる研削工程と、該研削工程の後に、該第一のフレームに装着された半導体ウエーハを、中央部に装着開口を有する第二のフレームに装着すると共に該第一のフレームから離脱せしめる移し替え工程であって、該第二のフレームの片面に該装着開口を跨がって延びる第二の装着テープを装着すること、半導体ウエーハの裏面を該第二の装着テープに貼着せしめて該第二のフレームの該装着開口内に半導体ウエーハを装着すること、該第二のフレームに半導体ウエーハを装着した後又はその前に、半導体ウエーハから該第一のフレームを離脱せしめること、及び該第二のフレームに半導体ウエーハを装着した後又はその前に、半導体ウエーハから該第一の装着テープを離脱せしめること、から成る移し替え工程と、該第二のフレームに装着された半導体ウエーハに、その表面からアクセスして所要処理を加える処理工程と、を含む、ことを特徴とする半導体ウエーハ加工方法。
FI (2):
H01L 21/78 Q
, H01L 21/78 L
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-197291
Applicant:株式会社東芝
-
半導体ウエハの裏面研削方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-078859
Applicant:三井化学株式会社
-
ダイシング方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-260333
Applicant:株式会社ディスコ
Return to Previous Page