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J-GLOBAL ID:200903040715910303

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岡田 和秀
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995020292
Publication number (International publication number):1996213659
Application date: Feb. 08, 1995
Publication date: Aug. 20, 1996
Summary:
【要約】【目的】装置の取り扱い時におけるホログラム素子の破損を防止できる構造を備えた半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。【構成】ステム1の上面のブロック部に半導体レーザチップ5等を取り付け、下端部が開口し上端部にレーザ光通過窓3を有したキャップ2の内部に該通過窓3を閉塞するようにしてホログラム素子10を固定し、このキャップ2をブロック部4を収納するようにしてそれの下端部側を前記ステム1上に固定した構造。また、キャップ2の内部に当該通過窓3を閉塞するようにホログラム素子10を取り付けることによって、その通過窓3に窓ガラスを取り付け、かつ、ステム1の上面にホログラム素子10を取り付ける工程を削減する。
Claim (excerpt):
ステムと前記ステムの上面に形成された少なくとも半導体レーザチップを搭載したブロック部と、下端部が開口し上端部にレーザ光通過窓を有したものでかつ前記ブロック部を収納するように前記下端部側が前記ステムの上面に固定されたキャップと、前記通過窓を閉塞するように前記キャップの内部に収納されて固定されたホログラム素子と、を具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3):
H01L 33/00 ,  H01L 23/02 ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平1-313987
  • 特開昭62-141794
  • 特開昭61-080840
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