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J-GLOBAL ID：200903040716721580

スパッタ装置

Inventor： 金尾 寛人 ,  赤堀 孝
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991359776
Publication number (International publication number)：1993179438
Application date： Dec. 28, 1991
Publication date： Jul. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高アスペクト比の段差部にステップカバレッジ良く、均一に成膜が可能で、しかもターゲットの利用効率の高い成膜を可能とする。【構成】 プラズマ生成領域2と試料配置領域3との境界領域にターゲット4を設置し、該ターゲット4は、前記プラズマ生成領域と試料配置領域との間を連通させるべく、複数の孔を有するあるいは複数の筒体で構成されており、さらに試料台に高周波又は直流電界を加える手段及び前記試料台を回転する機構を備えたスパッタ装置。

Claim (excerpt)：

マイクロ波による電界と電磁コイル又は永久磁石による磁界とを利用してプラズマを発生させるプラズマ発生領域と、試料を載置する試料台を備えた試料配置領域と、前記プラズマ発生領域と前記試料配置領域との間にターゲット支持体に支持されたターゲットとを具備するスパッタ装置において、前記ターゲットは、前記プラズマ発生領域と前記試料配置領域とを連通する複数の孔を有し、前記試料台に高周波電界又は直流電界を加える手段及び前記試料台を回転させる回転機構を有することを特徴とするスパッタ装置。

IPC (5)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/35 ,  C23C 14/50 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285