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J-GLOBAL ID：200903040727127809
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993301371
Publication number (International publication number)：1995153745
Application date： Dec. 01, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：
【要約】【目的】微細パターンからなる下層配線を覆う層間絶縁膜の表面をほぼ完全に平坦化する方法を提供する。【構成】アルミ配線13を覆うプラズマ酸化膜14を形成する。プラズマ酸化膜14表面上にアルミ配線13パターンの反転パターンを有するフォトレジスト膜16を形成し、プラズマ酸化膜14を所定の厚さだけエッチングする。フォトレジスト膜16を除去した後、Arイオンによるスパッタ・イオン・エッチングを行なって突起部17を除去し、プラズマ酸化膜14cを得る。
Claim (excerpt)：
素子の形成された半導体基板上に配線と所望の膜厚の層間絶縁膜とを形成する工程と、前記配線のパターンの反転パターンを有するフォトレジスト膜を前記層間絶縁膜表面上に形成し、該フォトレジスト膜をマスクにして該層間絶縁膜を所定の深さだけエッチングして該層間絶縁膜からなる突起部を残置する工程と、前記フォトレジスト膜を除去し、全面にイオンを照射して前記突起部を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065
, H01L 21/265
H01L 21/302 L
, H01L 21/265 W
