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J-GLOBAL ID：200903040728957678

窒化物薄膜作製方法

Inventor： 北原 正 ,  市川 典男 ,  鈴木 孝
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001041984
Publication number (International publication number)：2002241930
Application date： Feb. 19, 2001
Publication date： Aug. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】 レーザアブレーションによる高精度の窒化物薄膜作製方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係る窒化物薄膜作製方法は、るつぼ12内にターゲット材14を充填し、レーザアブレーションにより蒸散させて、基板17に窒化物の薄膜を作製する窒化物薄膜作製方法において、るつぼ12の表面を、ターゲット材14の充填前に窒化処理することを特徴とする。つまり、るつぼ12の表面を窒化処理し、窒化物層に変化させる。すると、るつぼ12の表面とターゲット材14の親和性が改善され、るつぼ12内に充填された溶融状態のターゲット材14の濡れ性が向上し、表面は水平となる。この状態で、レーザ光によりアブレーションし、ターゲット材14中の金属粒子の放出方向を安定させる。

Claim (excerpt)：

るつぼ内に窒化物薄膜作製用ターゲット材を充填し、レーザアブレーションにより蒸散させて、基板に窒化物の薄膜を作製する窒化物薄膜作製方法において、前記るつぼの表面を、前記ターゲット材の充填前に窒化処理することを特徴とする窒化物薄膜作製方法。

IPC (3)：

C23C 14/28 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/24

FI (3)：

C23C 14/28 ,  C23C 14/06 A ,  C23C 14/24 A

F-Term (5)：

4K029AA07 ,  4K029BA58 ,  4K029CA01 ,  4K029DB13 ,  4K029DB20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-311561
  
• 特開平3-013566
  
• 特開昭51-141799
  
• 特開昭51-144400