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J-GLOBAL ID:200903040729658070

回折構造体、下地構造体、広域帯、偏光エリプソメトリ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井ノ口 壽
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000534831
Publication number (International publication number):2002506198
Application date: Feb. 25, 1999
Publication date: Feb. 26, 2002
Summary:
【要約】半導体ウェーハ上の回折構造体からの回折の前に、必要な場合は、分光反射計または分光エリプソメトリを使って構造体の下に位置する膜の膜厚と屈折率を測定する。そして厳密なモデルを使って回折構造体のエリプソメトリの署名の強度を計算する。次に、回折構造体を、偏光および広帯域放射を用いた分光散乱計を使って測定し、回折構造体の強度またはエリプソメトリの署名を測定する。そしてこの署名をデータベース内の署名と適合させ、構造体の格子型パラメータを決定する。
Claim (excerpt):
下地構造上に位置する回折構造体の一つ以上のパラメータを測定するための方法であって、前記下地構造は、厚みと光学指数を有し、 下地構造の光学指数と膜厚を求める工程と、 下地構造の前記光学指数と膜厚を使って前記回折構造体に関する一つ以上のパラメータの参照データベースを構築する工程と、 前記回折構造体に複数の波長の電磁放射線を方向付ける工程と、 前記放射線の、前記構造体からの前記複数の波長の回折の強度を検出する工程と、 前記検出した強度を前記データベースと比較して前記一つ以上のパラメータを求める工程とを備えた、 下地構造上に位置する回折構造体の一つ以上のパラメータを測定するための方法。
IPC (4):
G01B 11/02 ,  G01N 21/21 ,  G01N 21/27 ,  H01L 21/66
FI (5):
G01B 11/02 ,  G01N 21/21 Z ,  G01N 21/27 B ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/66 L
F-Term (66):
2F065AA30 ,  2F065BB02 ,  2F065CC19 ,  2F065DD06 ,  2F065EE00 ,  2F065FF44 ,  2F065FF48 ,  2F065FF49 ,  2F065GG23 ,  2F065GG24 ,  2F065HH04 ,  2F065HH12 ,  2F065HH13 ,  2F065HH14 ,  2F065JJ01 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ08 ,  2F065JJ09 ,  2F065LL02 ,  2F065LL04 ,  2F065LL28 ,  2F065LL32 ,  2F065LL46 ,  2F065LL67 ,  2F065PP12 ,  2F065QQ01 ,  2F065QQ18 ,  2F065QQ41 ,  2F065QQ42 ,  2G059AA02 ,  2G059AA03 ,  2G059BB10 ,  2G059BB16 ,  2G059DD13 ,  2G059EE02 ,  2G059EE05 ,  2G059EE09 ,  2G059EE11 ,  2G059EE12 ,  2G059GG00 ,  2G059GG04 ,  2G059HH01 ,  2G059HH02 ,  2G059HH03 ,  2G059JJ01 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ12 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK01 ,  2G059MM05 ,  4M106AA01 ,  4M106BA06 ,  4M106CA48 ,  4M106CA70 ,  4M106DH03 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DH38 ,  4M106DH40 ,  4M106DH60 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ04 ,  4M106DJ05 ,  4M106DJ20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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