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J-GLOBAL ID：200903040731288671

パワー半導体素子の試験装置およびこれを用いた試験方法

Inventor：
増馬 慶孝

About 増馬 慶孝


Applicant, Patent owner：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

About 富士電機デバイステクノロジー株式会社


Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004014160
Publication number (International publication number)：2005207861
Application date： Jan. 22, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：
【課題】垂直式試験装置の試験装置(プローブ針)と半導体チップ(電極パッド)との導通不良や、接触抵抗のバラツキを防止する。【解決手段】パワー半導体素子の表面に形成された電極パッドに複数のプローブ針を垂直に接触させた状態で、該複数のプローブ針に高周波・微小振幅であって前記プローブ針と直交する方向の振動を与える。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
パワー半導体素子の表面に形成された電極パッドにプローブ針を垂直に接触させて前記パワー半導体素子の特性を測定するパワー半導体素子の試験装置において、 前記電極パットに並列に接触する複数のプローブ針と、 該複数のプローブ針が前記電極パッドに接触した状態で、該複数のプローブ針に高周波・微小振幅であって前記プローブ針と直交する方向の振動を与える振動印加手段とを備えたことを特徴とするパワー半導体素子の試験装置。
IPC (2)：
G01R31/26 ,  G01R31/28
FI (3)：
G01R31/26 J ,  G01R31/26 B ,  G01R31/28 K
F-Term (11)：
2G003AA01 ,  2G003AA02 ,  2G003AA03 ,  2G003AG04 ,  2G003AG12 ,  2G003AH05 ,  2G132AA00 ,  2G132AF02 ,  2G132AF07 ,  2G132AF08 ,  2G132AL03
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)
  • プローブカード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-210303   Applicant：川崎製鉄株式会社

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