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J-GLOBAL ID：200903040733531026

フラッシュ型E2 PROMの消去方法

Inventor： 信方 浩美
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 国則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992207173
Publication number (International publication number)：1994028875
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 初期状態は勿論、書換え回数が増えても過剰消去がなく、しかも読出しマージンを広くとれ、かつ高速化に有利なフラッシュ型E2 PROMの消去方法を提供する。【構成】 ワード線WLおよびビット線BLを順に選択しつつ各セルの閾値電圧Vthが判定レベル以下になるまで消去およびベリファイを繰り返し(ステップS11〜18)、ベリファイ時の非選択セルのコントロールゲートには負電圧を印加するようにし、また全セルの閾値電圧Vthが判定レベル以下になったのを確認した後、ワード線単位で過剰消去セルに対して閾値電圧Vthが0V以上となるまで再書込みを行う(ステップS21〜28)。

Claim (excerpt)：

消去する全セルに対して消去前書込みを行った後、消去およびベリファイを閾値電圧が判定レベル以下になるまで繰り返して行うフラッシュ型E2 PROMの消去方法において、ベリファイ時に、非選択セルのコントロールゲートに負電圧を印加することを特徴とするフラッシュ型E2 PROMの消去方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-082095
  
• 特開平3-230566
  
• 特開平3-181095
  
• 特開昭60-095794