誘電体キャパシタ素子及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐々木晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000343050
Publication number (International publication number)：2002151654
Application date： Nov. 10, 2000
Publication date： May. 24, 2002
Summary：

【要約】【課題】高温で長時間にわたる熱処理によって結晶化する誘電体を用いたキャパシタ素子を作成する場合に、キャパシタ下部電極表面の平坦性を改善し、ひいては誘電体キャパシタのリーク電流の増加を防止する。【解決手段】キャパシタ下部電極側の構成を、例えば、Pt/Pt-Ti/TiO2の構造にし、下部電極下に余剰なTiを残さないようにし、誘電体層を形成する前にあらかじめ熱処理を加えておく。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されている絶縁層上に形成された下部電極と、該下部電極上に形成された誘電体層と、該誘電体層上に形成された上部電極とを具備する誘電体キャパシタ素子において、上記絶縁層上に形成された第1の金属元素と第2の金属元素とを少なくとも含む合金から成る合金層と、該合金層上に形成された上記第2の金属元素を含む金属層により構成される上記下部電極とを有することを特徴とする誘電体キャパシタ素子。

F-Term (9)：

5F083GA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083NA08 , 5F083PR22 , 5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

強誘電体薄膜素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-258830 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
強誘電体メモリ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-281530 Applicant：現代電子産業株式会社
誘電体キャパシタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-226824 Applicant：シャープ株式会社

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