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J-GLOBAL ID：200903040757275837

半導体モジュール

Inventor： 佐々木 正貴 ,  丹波 昭浩 ,  関根 茂樹 ,  斉藤 隆一 ,  山田 一二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996314872
Publication number (International publication number)：1998154774
Application date： Nov. 26, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子を搭載した絶縁基板と支持基板との間のはんだ接着層中のボイドの残存をなくした低熱抵抗の半導体モジュールを提供する。【解決手段】 支持基板の上に、絶縁基板を配し、絶縁基板上に半導体チップを搭載する半導体モジュールにおいて、絶縁基板の構造をはんだ接着時に支持基板との接着を行う側を凸に変形させる応力が働くような構造とする。例えば、絶縁基板10の半導体素子搭載側の上部メタライズパターン11の膜厚t1を支持基板側の下部メタライズパターン12の膜厚t2より薄くする。【効果】 はんだ接着時に、絶縁基板を支持基板接着側を凸に変形させることができ、溶融はんだ内に生じるボイドを周辺部に逃がすことができる。これにより、はんだ層内のボイドを低減させ、低熱抵抗、長寿命のモジュールを得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体素子を搭載した絶縁基板を金属支持基板上にはんだ接着して構成した半導体モジュールにおいて、前記絶縁基板は、該絶縁基板と前記金属支持基板とをはんだ接着する接着温度時に、前記金属支持基板との接着側が凸となるように変形する構造を有することを特徴とする半導体モジュール。

IPC (8)：

H01L 23/15 ,  C04B 37/02 ,  C04B 41/88 ,  H01B 3/12 337 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H01L 21/33 ,  H01L 29/70

FI (7)：

H01L 23/14 C ,  C04B 37/02 B ,  C04B 41/88 P ,  H01B 3/12 337 ,  H01L 23/12 H ,  H01L 23/14 M ,  H01L 29/70