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J-GLOBAL ID：200903040764888003
半導体光デバイスとその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991224986
Publication number (International publication number)：1993048209
Application date： Aug. 08, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 金属電極と接続される半導体コンタクト層を有する半導体光デバイスにおいて、半導体コンタクト層と金属電極との接触抵抗を安定して低くできる構造を得る。【構成】 半導体コンタクト層6上に形成され、該半導体コンタクト層6とオーミック接続するコンタクト用金属電極13と、該コンタクト用金属電極13上に形成された絶縁膜8と、該絶縁膜8上に形成され、該絶縁膜に設けられた開口部11において上記コンタクト用金属電極13と接続する引き出し用金属電極12とを備えた構成とした。
Claim (excerpt)：
金属電極と接続される半導体コンタクト層を有する半導体光デバイスにおいて、上記半導体コンタクト層上に形成され、該半導体コンタクト層と所望の抵抗値を得るのに十分な面積で接触しオーミック接続するコンタクト用金属電極と、該コンタクト用金属電極上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成され、該絶縁膜に設けられた開口部において上記コンタクト用金属電極と接続する引き出し用金属電極とを備えたことを特徴とする半導体光デバイス。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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