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J-GLOBAL ID：200903040765579047

光第2高調波発生素子及びそれを用いた光デバイス

Inventor： 久芳 豊
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997108731
Publication number (International publication number)：1998301154
Application date： Apr. 25, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体レーザー素子との光結合において安定な出力を得ることができる光第2高調波発生素子及び光デバイスを提供すること。【解決手段】 単一分域化された非線形強誘電体の基板1に微細周期状の分極反転領域2を作製し、それを横切る光導波路3上に溝状の分布帰還型の反射器4を備えたことを特徴とする光第2高調波発生素子A。

Claim (excerpt)：

周期状の分極反転領域を有する非線形強誘電体の基板に前記分極反転領域を横切るように光導波路を形成するとともに、該光導波路に特定波長の光を反射させる複数条の溝から成る反射器を形成したことを特徴とする光第2高調波発生素子。