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J-GLOBAL ID：200903040771112630

多層エピタキシャル結晶構造

Inventor： 荒巻 聡 ,  中村 正志
Applicant, Patent owner： 株式会社日鉱共石
Agent (1)： 大日方 富雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991280407
Publication number (International publication number)：1993175548
Application date： Sep. 30, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：

【要約】【構成】 異なる特性の2以上のp型半導体層を有するIII-V族化合物半導体混晶からなる多層膜を形成する場合において、MOCVD法を使用して多層エピタキシャル結晶の成長を行なうとともに、高濃度もしくはキャリア濃度分布の急峻性が必要なp型半導体層には不純物としてマグネシウムを用い、キャリア濃度の精度が必要なp型半導体層には不純物として亜鉛を用いるようにして、不純物を使い分けるようにした。【効果】 マグネシウムは半導体層中に高濃度にドーピングすることができるとともに濃度曲線が急峻であり、また亜鉛はキャリア濃度の制御性が良いので、発光ダイオード等の光半導体デバイスの基板に最適な結晶構造が得られ、デバイスの特性および生産性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体単結晶基板上にpn接合および異なる特性の2以上のp型半導体層を有する多層エピタキシャル結晶構造において、n型半導体層に接しない部位には亜鉛を不純物とするp型半導体層が,また少なくともn型半導体層に接する側にマグネシウムを不純物とするp型半導体層がそれぞれMOCVD法によりエピタキシャル成長されてなることを特徴とする多層エピタキシャル結晶構造。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 3/18