Pat
J-GLOBAL ID：200903040778705297
フオトリフラクテイブ素子用のGaP単結晶とその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
上田 章三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991228929
Publication number (International publication number)：1993070296
Application date： Sep. 09, 1991
Publication date： Mar. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 可視光領域においても充分なPF効果が実現でき応答性に優れたフォトリフラクティブ素子用のGaP単結晶とその製造方法を提供すること。【構成】 Ga原子とP原子のアンチサイト欠陥準位を利用したフォトリフラクティブ素子用のGaP単結晶であって、その結晶中に含まれるSi不純物濃度が1×1016atoms /cm3 以下で室温における比抵抗値が1×108 Ωcm以上であることを特徴とする。また、この単結晶はp-BNルツボを用いたLEC法により製造される。そしてこの結晶は0.6〜0.9ミクロンの可視光領域において応答感度を有し、かつ、室温における比抵抗値が1×108 Ωcm以上であるため結晶中の熱励起によるキャリアの生成を抑制でき光照射による充分なPF効果を生じさせることが可能となる。
Claim (excerpt)：
Ga原子とP原子のアンチサイト欠陥準位を利用したフォトリフラクティブ素子用のGaP単結晶において、上記単結晶中に含まれるSi不純物濃度が1×1016atoms /cm3 以下で、その室温における比抵抗値が1×108 Ωcm以上であることを特徴とするフォトリフラクティブ素子用のGaP単結晶。
IPC (4)：
C30B 29/44
, G02F 1/35 501
, G03H 1/02
, C30B 27/02
