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J-GLOBAL ID：200903040800250550
SiO▲2▼に対するSiN膜の選択的エツチング方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井内 龍二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991227185
Publication number (International publication number)：1993067591
Application date： Sep. 06, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：
【要約】【構成】RFが印加される平行平板型RIE装置を用いたSiO2 に対するSiN膜の選択的エッチング方法において、前記RFの周波数を1MHz以下に設定する一方、CF4 、O2 およびArあるいはHeを使用してCF4 に対するO2の混合比を33%から67%に設定するとともに、RFパワー密度を0.5W/cm2 以下に設定してエッチングを行なうSiO2 に対するSiN膜の選択的エッチング方法。【効果】SiN膜をエッチングする場合、1MHz以下の周波数を印加したRIE装置を用いて、SiO2 に対するSiN膜の高選択エッチングをすることができる。従って、従来のようにSiNエッチング専用のRIE装置を併設せずに済ませることが可能となる。
Claim (excerpt)：
RF(Radio Frequency)が印加される平行平板型RIE(Reactive Ion Etching)装置を用いたSiO2 に対するSiN膜の選択的エッチング方法において、前記RFの周波数を1MHz以下に設定する一方、CF4 、O2およびArあるいはHeを使用してCF4 に対するO2 の混合比を33%から67%に設定するとともに、RFパワー密度を0.5W/cm2 以下に設定してエッチングを行なうことを特徴とするSiO2 に対するSiN膜の選択的エッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/302
, H01L 21/316
, H05H 1/46
