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J-GLOBAL ID：200903040816209517

個体撮像装置およびその製造方法

Inventor： 畑野 啓介 ,  中柴 康▲隆▼
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997180087
Publication number (International publication number)：1999026736
Application date： Jul. 04, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 周辺回路部の比較的厚い絶縁膜を形成する際に受ける熱ストレスにより、不要電荷の発生サイトとなる結晶欠陥を誘起して発生する白キズの量を低減した固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決方法】 周辺回路部の第1の素子分離部のP+ 型半導体領域105とセル部の光電変換部間と電荷転送部間の第2の素子分離部のP+ 型半導体領域107を同一の工程で形成したのち、周辺回路部にCVD法による比較的厚い酸化膜106を形成する。

Claim (excerpt)：

周辺回路部の比較的厚い絶縁膜を有する第1の素子分離部と、電荷転送部間、あるいは電荷転送部と光電変換部間、あるいは光電変換部間の素子分離部となるセル部の比較的薄い絶縁膜を有する第2の素子分離部とを有する個体撮像装置において、前記比較的厚い絶縁膜が、CVD法によって形成された絶縁膜であることを特徴とする個体撮像装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 電荷結合素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-125659   Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-183985   Applicant：ソニー株式会社