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J-GLOBAL ID：200903040819831847

外部共振器型半導体レーザおよび光導波路装置

Inventor：
田淵 晴彦

About 田淵 晴彦


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 笹島 富二雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999357053
Publication number (International publication number)：2001177182
Application date： Dec. 16, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：
【要約】【課題】発振波長が可変で、主共振器および副共振器で励振される定在波の位相制御が可能な小型の外部共振器型半導体レーザを提供する。【解決手段】本発明の外部共振器型半導体レーザは、反射率が最大になる波長を制御可能な外部光反射部301と、屈折率を制御可能な接続光導波路302とを連続して一体形成し、該接続導波路302を半導体光増幅器2の低反射端面209に対向させて配置した構成であり、前記低反射端面209が、光閉じ込め領域207を伝搬する光の進行方向に対して垂直な面から傾斜させて劈開により形成される。
Claim (excerpt)：
相対的に屈折率の高いコアの周囲を相対的に屈折率の低いクラッドで取り囲んだ光導波路を有し、特定の波長の光に対して反射率が最大となり、かつ、該反射率が最大になる波長を調節可能な外部光反射手段と、相対的にバンドギャップが大きい第一導電型半導体層、相対的にバンドギャップが小さい半導体層である活性層および相対的にバンドギャップが大きい第二導電型半導体層を、半導体基板上に積層したストライプ状のダブルヘテロpn接合を有し、当該ストライプとして規定される部分の屈折率がストライプ外よりも相対的に高屈折率で、かつ、当該ストライプに沿って光が伝搬するように構成された光閉じ込め領域と、該光閉じ込め領域を伝搬する光の進行方向に対して垂直な面で、かつ、前記半導体基板を劈開して形成された高反射端面と、該高反射端面の反対側に位置し、かつ、前記光閉じ込め領域を伝搬する光の進行方向に対して垂直な面から傾斜した面において、前記半導体基板を劈開して形成された低反射端面と、前記光閉じ込め領域のダブルヘテロpn接合に電流を注入するための電極と、を含んだ半導体光増幅手段と、前記外部光反射手段と前記半導体光増幅手段の低反射端面との間に配置され、前記外部光反射手段の光導波路と前半導体光増幅手段の光閉じ込め領域とを光学的に結合し、かつ、前記外部光反射手段と連続に一体形成された光導波路と、該光導波路の少なくとも一部について、伝搬光に対する屈折率を変化させることが可能な屈折率可変部と、を含んだ接続光導波手段と、を備えて構成されたことを特徴とする外部共振器型半導体レーザ。
IPC (5)：
H01S 5/14 ,  G02B 6/12 ,  G02F 1/01 ,  G02F 1/065 ,  H04B 10/02
FI (5)：
H01S 5/14 ,  G02F 1/01 C ,  G02F 1/065 ,  G02B 6/12 J ,  H04B 9/00 T
F-Term (37)：
2H047KA04 ,  2H047MA07 ,  2H047NA02 ,  2H047QA05 ,  2H047RA08 ,  2H079AA02 ,  2H079AA06 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079CA04 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079DA17 ,  2H079EA05 ,  2H079EA27 ,  5F073AA22 ,  5F073AA65 ,  5F073AA67 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073AB21 ,  5F073AB25 ,  5F073BA02 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073EA04 ,  5F073FA13 ,  5F073FA24 ,  5F073GA21 ,  5K002BA01 ,  5K002BA02 ,  5K002BA13 ,  5K002BA21 ,  5K002CA13 ,  5K002FA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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