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J-GLOBAL ID：200903040823816976

半導体装置の製造方法

Inventor： 中谷 昌弘 ,  田中 光男 ,  平井 健裕 ,  神田 彰弘
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992172399
Publication number (International publication number)：1994021366
Application date： Jun. 30, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体装置に関するもので、従来のマスク枚数でトランジスタと共に高抵抗を提供する。【構成】 p型Si基板1上に、SiO2膜2、Si3N4膜3、ポリシリコン膜8を形成した後、ポリシリコン膜8に、NPN型およびPNP型バイポーラトランジスタのエミッタ注入と同時に、互いに逆導電型の高ドーズ量のイオンを注入し互いを補償させることにより、高抵抗を形成する。このため、高抵抗は、マスク枚数を増やすことなく、バイポーラトランジスタと共に同一ウエハ面上に形成することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一主表面に第一の絶縁膜を形成する工程と、前記第一の絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜を選択的に除去し、半導体膜パターンを形成する工程と、前記半導体膜パターンに互いに逆導電型の高ドーズ量のイオンを注入し、前記半導体膜パターンを所望の導電型を有する高シート抵抗の半導体膜パターンにする工程と、前記半導体膜パターンのコンタクト領域に前記半導体膜パターンと同導電型の高ドーズ量のイオンを注入する工程と、第二の絶縁膜を形成し、前記第二の絶縁膜を選択的に除去し、開口窓を形成する工程と、金属膜を形成し、前記半導体膜と前記金属膜とを電気的に接続する工程とを少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/082 ,  H01L 21/265

FI (2)：

H01L 27/08 101 C ,  H01L 21/265 J