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J-GLOBAL ID：200903040830695670

シリコン酸化膜の成膜方法および装置

Inventor： 新井 寿裕 ,  佐藤 栄治 ,  長崎 恵一 ,  本間 喜夫 ,  斉藤 政良 ,  中西 成彦
Applicant, Patent owner： 日立電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社日立製作所
Agent (1)： 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993217038
Publication number (International publication number)：1995058102
Application date： Aug. 09, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 反応チャンバ内にTEOSガスとオゾンガスを送入しても異常燃焼を起こさないシリコン酸化膜の成膜方法および装置を提供する。【構成】 CVD装置の反応チャンバにTEOSガスとオゾンガスを送入することからなるシリコン酸化膜の成膜方法において、TEOSガスをチャンバ内に先に送入し、チャンバ内のTEOSガス濃度を1%以下に維持しながら、その後、オゾンガスをチャンバ内に送入する。

Claim (excerpt)：

CVD装置の反応チャンバにTEOSガスとオゾンガスを送入することからなるシリコン酸化膜の成膜方法において、TEOSガスをチャンバ内に先に送入し、その後オゾンガスをチャンバ内に送入し、そしてチャンバ内のTEOSガス濃度を常に1%以下に維持しながらTEOSガスとオゾンガスをそれぞれチャンバ内に送入することを特徴とするシリコン酸化膜の成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31