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J-GLOBAL ID：200903040831855964

半導体発光素子

Inventor： 石橋 晃
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994162770
Publication number (International publication number)：1995283489
Application date： Jun. 21, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザーや発光ダイオードなどの半導体発光素子のp型クラッド層の正孔濃度を十分に高くし、また、クラッド層の材料の選択の範囲を広くする。【構成】 クラッド層の少なくとも一部として、Zn、Mg、CdおよびMnから成る群より選ばれた少なくとも一種の元素と、S、SeおよびTeから成る群より選ばれた少なくとも一種の元素とにより構成された少なくとも二種類の化合物半導体から成る超格子、好適には基板とほぼ格子整合する超格子を用いる。例えば、半導体レーザーのn型クラッド層およびp型クラッド層としてそれぞれn型ZnSe/MgS超格子クラッド層1およびp型ZnSe/MgS超格子クラッド層5を用いる。p型ZnSe/MgS超格子クラッド層5の形成に際しては、MgS層を避けてZnSe層にのみアクセプタ不純物をドープする。

Claim (excerpt)：

Zn、Mg、CdおよびMnから成る群より選ばれた少なくとも一種の元素と、S、SeおよびTeから成る群より選ばれた少なくとも一種の元素とにより構成された少なくとも二種類の化合物半導体から成る超格子をクラッド層の少なくとも一部として用いた半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G11B 7/125 ,  H01L 33/00