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J-GLOBAL ID：200903040839769641

薄膜トランジスタを備えた固体装置およびその製造方法

Inventor： 湯田坂 一夫 ,  井上 孝
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 山田 稔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992127574
Publication number (International publication number)：1993326960
Application date： May. 20, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの製造工程中に行うアニール処理およびウェットエッチング処理にも耐え得る配線層構造を採用して、歩留りおよび信頼性を向上可能な薄膜トランジスタを備えた固体装置およびその製造方法を実現する。【構成】 基板40の表面側に形成された薄膜トランジスタ50のゲート電極53およびゲート配線層60は、下層側ポリシリコン層61,モリブデンシリサイド層62および上層側ポリシリコン層63からなり、層間絶縁膜57にウェットエッチングを施して、第1〜第3の接続孔651,671,661を形成するときには、上層側ポリシリコン層63がエッチングストッパーとなる。

Claim (excerpt)：

同一基板の表面側に、ゲート絶縁膜上のゲート電極をマスクとして不純物が導入されたソース・ドレイン領域を備える薄膜トランジスタと、少なくともメタルシリサイド層または高融点金属層を備える下層側配線層と、それらの表面側に形成された層間絶縁膜の接続孔を介して前記下層側配線層に導電接続する上層側配線層と、を有し、前記下層側配線層は、その上層側に、前記層間絶縁膜に対するエッチング液に対して耐エッチング性を有する耐熱性の導電性保護膜を有することを特徴とする薄膜トランジスタを備えた固体装置。

IPC (7)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/40 ,  H01L 29/62