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J-GLOBAL ID：200903040855579682

化学増幅型ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor： 小板橋 龍二 ,  草木 渉 ,  武田 隆信 ,  渡邊 修 ,  蜷川 博一
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002226565
Publication number (International publication number)：2004069855
Application date： Aug. 02, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【課題】微細なパターン形成が要求されるリソグラフィー、特に電子線リソグラフィーで求められる高感度、高解像度、経時安定性をより高いレベルで満たし、優れたプロセス適応性と良好なパターン形状を有する化学増幅型ネガ型レジスト材料を提供する。【解決手段】少なくとも、下記一般式(1)で示される架橋剤、高エネルギー線照射により酸を発生する光酸発生剤、光酸発生剤より発生する酸によって架橋反応し、アルカリ現像液に対する溶解性が減少するアルカリ可溶性樹脂を含むことを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト材料。【化16】【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

少なくとも、下記一般式(1)で示される架橋剤、高エネルギー線照射により酸を発生する光酸発生剤、光酸発生剤より発生する酸によって架橋反応し、アルカリ現像液に対する溶解性が減少するアルカリ可溶性樹脂を含むことを特徴とする化学増幅型ネガ型レジスト材料。

IPC (2)：

G03F7/038 ,  H01L21/027

FI (2)：

G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (17)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB28 ,  2H025CB52 ,  2H025CB55 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17