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J-GLOBAL ID：200903040873331760

圧電共振素子および圧電共振装置

Inventor： 福岡 修一 ,  中久保 仁 ,  岩下 修三
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000395999
Publication number (International publication number)：2002198771
Application date： Dec. 26, 2000
Publication date： Jul. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】厚み滑り振動や厚み縦振動においてスプリアス振動に伴う移相歪みの発生を著しく抑制し、スプリアス振動によるP/Vの低下を抑えながら加工歩留まりを向上した非鉛からなる圧電共振素子および圧電共振装置を提供する。【解決手段】長方形状の主面を有する圧電基板1の両主面中央部に、振動電極11、12を対向して形成してなるとともに、圧電基板1がビスマス層状化合物からなり、且つ圧電基板1の両主面の長辺角部が面取りされていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

長方形状の主面を有する圧電基板の両主面中央部に、振動電極を対向して形成してなるとともに、前記圧電基板がビスマス層状化合物からなり、且つ前記圧電基板の両主面の長辺角部が面取りされていることを特徴とする圧電共振素子。

IPC (2)：

H03H 9/17 ,  H03H 9/02

FI (3)：

H03H 9/17 A ,  H03H 9/02 K ,  H03H 9/02 L

F-Term (9)：

5J108AA01 ,  5J108BB04 ,  5J108CC04 ,  5J108CC08 ,  5J108CC12 ,  5J108DD02 ,  5J108GG03 ,  5J108GG15 ,  5J108JJ02