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J-GLOBAL ID:200903040883427952

焦電妨害を除去する表面弾性波デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山本 恵一
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1999501753
Publication number (International publication number):2000517144
Application date: Jun. 05, 1998
Publication date: Dec. 19, 2000
Summary:
【要約】本発明は、入力(E)、出力(S)及びアース(PM)に接続された電気弾性トランスデューサをその表面の一方に含む、導電率σ0の圧電及び焦電材料からなる基板を含んでおり、該材料は電気分表面弾性波デバイスにおいて、前記分極に垂直な面の表面は、導電率σ0よりも大きい導電率σを有しており、電気弾性トランスデューサの動作中に現れる焦電電荷の流れを可能にするようにアース(PM)に接続されるものに関する。用途:電話通信におけるフィルタリング
Claim (excerpt):
1.入力(E)、出力(S)及びアース(PM)に接続された電気弾性トランスすものである表面弾性波デバイスにおいて、σを有しており、前記電気弾性トランスデューサの動作中に現れる焦電電荷の流れを可能にするように前記アース(PM)に接続されることを特徴とする表面弾性波デバイス。れる表面の面Pyzと平行な面にベクタ成分を有しており、面Pyzと垂直な面Pxy及び/又はPxzは導電フィルムで覆われていることを特徴とする請求項1に記載の表面弾性波デバイス。3.前記基板はアース面(PM)上にデポジットされており、前記導電フィルムは、前記電気弾性トランスデューサがその上におかれる表面の前記アース面及び前記面Pyzを部分的に覆うことを特徴とする請求項2に記載の表面弾性波デバイス。4.前記圧電及び焦電材料はリチウムニオブ酸塩であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の表面弾性波デバイス。5.前記圧電及び焦電材料はリチウムタンタル酸塩であることを特徴とする請求項2又は3のいずれか1項に記載の表面弾性波デバイス。前記電気弾性トランスデューサがおかれるその上の表面は、イオンプランテーションによって導電率をより高めることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の表面弾性波デバイス。前記電気弾性トランスデューサがおかれるその上の表面は、シリコンタイプの半導体材料の非常に繊細な層を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の表面弾性波デバイス。

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