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J-GLOBAL ID：200903040901499249

化学増幅レジスト及びこれを用いるレジストパターンの形成方法

Inventor： 矢野 映 ,  渡部 慶二 ,  並木 崇久 ,  五十嵐 美和 ,  倉光 庸子 ,  野崎 耕司
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994047429
Publication number (International publication number)：1995261392
Application date： Mar. 17, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】高解像性のネガ型レジストを形成する化学増幅レジストに関し、ネガ型として使用してもパターン精度を高めること。【構成】基材樹脂の側鎖に酸によって切断される疎水性の原子団を有する化学増幅レジスト基材樹脂と、光酸発生剤、架橋剤および溶剤を含む。

Claim (excerpt)：

基材樹脂の側鎖に酸によって切断される疎水性の原子団を有する化学増幅レジスト基材樹脂と、光酸発生剤、架橋剤および溶剤を含むことを特徴とする化学増幅レジスト。

IPC (4)：

G03F 7/038 505 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027