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J-GLOBAL ID：200903040917772840

半導体集積回路のホットキャリア劣化寿命の検証方法

Inventor： 角 悟
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994163509
Publication number (International publication number)：1996031893
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路のホットキャリア劣化寿命の検証方法に関するものであり、大規模な半導体集積回路においても誤りなく時間をかけずに検証できる改良である。【構成】 被検証半導体集積回路を構成する特定の機能を有する回路であるセル毎に、セル中のホットキャリアにより劣化寿命に影響する回路素子について、動作条件をパラメータとして回路素子のトランジスタシミュレーションを実施し1、回路素子を形成するときのプロセスデータより基板電流式を作成し2、動作条件をパラメータとする回路素子の寿命を求め3、寿命が所望寿命を満足する動作条件の範囲を予め求めておき4、被検証半導体集積回路を動作させたときの実動作条件を回路素子毎に求め5、実動作条件とセルライブラリとの両者より、被検証半導体集積回路の寿命が所望寿命を満足するか否かを判定する6半導体集積回路のホットキャリア劣化寿命の検証方法である。

Claim (excerpt)：

トランジスタを含む回路素子に印加される電圧の関数である基板電流式を利用してホットキャリアに基づく半導体集積回路の劣化寿命を検証する半導体集積回路のホットキャリア劣化寿命の検証方法において、被検証半導体集積回路を構成する特定の機能を有する回路であるセル毎に、該セル中のホットキャリアにより劣化寿命に影響する回路素子について、該回路素子の負荷静電容量、動作周波数、入力の立ち上がり時間及び立ち下がり時間の動作条件をパラメータとして前記回路素子に印加される電圧をトランジスタシミュレーションにより求め、前記回路素子を形成するときのプロセスデータより前記基板電流式を作成し、前記動作条件をパラメータとする前記回路素子の寿命を求め、該寿命が所望寿命を満足する前記動作条件の範囲を予め求めておき、前記被検証半導体集積回路を動作させたときの実動作条件を前記回路素子毎に求め、該実動作条件と前記セルライブラリとの両者より、前記被検証半導体集積回路の寿命が所望寿命を満足するか否かを判定することを特徴とする半導体集積回路のホットキャリア劣化寿命の検証方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26