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J-GLOBAL ID：200903040919614720

集積回路装置の配線構造

Inventor： 岸井 達也
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社
Agent (1)： 伊沢 敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991230886
Publication number (International publication number)：1993047767
Application date： Aug. 19, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 集積回路装置の配線構造において、電磁波ノイズの出入りを抑制する。【構成】 配線層18の延長方向に沿って上下にはポリSi層14及び金属層22等の導電層を且つ左右には金属層18a、18b等の導電体を多層配線技術により形成する。そして、これらの導電層及び導電体を相互接続した状態で接地端子に接続することにより電磁シールドを構成する。この電磁シールドは、配線層18から放出されて他の回路部に飛び込む電磁波ノイズを低減したり、他の回路部から放出されて配線層18に飛び込む電磁波ノイズを低減したりするのに有効であり、レイアウトの自由度を向上させるのに役立つ。

Claim (excerpt)：

(a)基板の表面を覆って形成された第1の絶縁膜と、(b)この第1の絶縁膜の上に所定の配線方向に沿って形成された第1の導電層と、(c)この第1の導電層を覆って前記第1の絶縁膜の上に形成された第2の絶縁膜と、(d)前記第1の導電層の上方で前記第2の絶縁膜の上に前記配線方向に沿って形成された配線層と、(e)この配線層を覆って前記第2の絶縁膜の上に形成された第3の絶縁膜と、(f)この第3の絶縁膜の上に前記配線層を覆って形成された第2の導電層と、(g)前記第1及び第2の導電層の間で前記配線層の一方側及び他方側にそれぞれ位置し、前記配線方向に沿って前記第2及び第3の絶縁膜の積層中に形成された第1及び第2の導電体であって、前記第1及び第2の導電層と共に接地端子に接続されることにより電磁シールドを構成するものとをそなえた集積回路装置の配線構造。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 23/14

FI (2)：

H01L 21/88 S ,  H01L 23/14 X