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J-GLOBAL ID：200903040921710752
光CVD装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西元 勝一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991024299
Publication number (International publication number)：1994010142
Application date： Feb. 19, 1991
Publication date： Jan. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 紫外線ランプの照度劣化を小さくし、かつ、光透過部での光吸収を極力抑えることができる光CVD装置を提供することを目的とする。【構成】 光エネルギーを用いて減圧下で反応室1内の基板3に対して薄膜を形成する光CVD装置であって、光源となる紫外線ランプ8を、紫外線ランプ8からの光が透過可能で、かつ、内部が大気圧以上の圧力となるランプ容器7内に収納している。このランプ容器7は反応室1内に設置され、ランプ容器7内には、N2 等の不活性ガスを導入するための不活性ガス供給管12が設けられ、ランプ容器7内に不活性ガスを導入して紫外線ランプ8を冷却可能となっている。
Claim (excerpt)：
光エネルギーを用いて減圧下で反応室内の基板に薄膜を堆積させる光CVD装置において、光源となる紫外線ランプを該紫外線ランプからの光を透過可能で、かつ内部が大気圧以上の圧力となるランプ容器内に収納し、該ランプ容器を反応室内に設置すると共に前記ランプ容器内に不活性ガスを導入する手段を設けたことを特徴とする光CVD装置。
IPC (2)：
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