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J-GLOBAL ID:200903040934529380

ガスセンサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 友松 英爾 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992188788
Publication number (International publication number):1994003308
Application date: Jun. 23, 1992
Publication date: Jan. 11, 1994
Summary:
【要約】【目的】 金属酸化物半導体層上に貴金属触媒層を設けた、ガス選択性を有するガスセンサにおいて、その選択性と感度を一層向上させたガスセンサの提供。【構成】 空中に張りだして設けられた電気絶縁性材料からなる張り出し部、前記張り出し部上に設けられた複数のガス検出用の金属酸化物半導体層、それに接触する電極リード、前記金属酸化物半導体層上に設けられた貴金属触媒層および前記電極リードにほぼ並置して設けられたヒーターリードを有するガスセンサにおいて、(i)前記金属酸化物半導体層上に設けられた前記貴金属触媒層の膜厚がそれぞれ異なること、または(ii)前記金属酸化物半導体層上に設けられた前記貴金属触媒層を接触させずに設け、かつ前記貴金属触媒層加熱用ヒーターを設けたことを特徴とするガス選択性ガスセンサ。
Claim (excerpt):
空中に張りだして設けられた電気絶縁性材料からなる張り出し部、前記張り出し部上に設けられた複数のガス検出用の金属酸化物半導体層、それに接触する電極リード、前記金属酸化物半導体層上に設けられた貴金属触媒層および前記電極リードにほぼ並置して設けられたヒーターリードを有するガスセンサにおいて、前記金属酸化物半導体層上に設けられた前記貴金属触媒層の膜厚がそれぞれ異なることを特徴とするガス選択性ガスセンサ。

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