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J-GLOBAL ID：200903040936474591
エツチング方法および装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991157018
Publication number (International publication number)：1993006876
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：
【要約】【目的】 LSI配線用のCu膜を低温、かつ高速でエッチングすることのできる技術を提供する。【構成】 半導体ウエハ7上に堆積したCu膜をドライエッチングする際のエッチングガスとして、塩素系ガスにアンモニアガス、酸化窒素系ガスまたは酸化炭素系ガスを添加した混合ガスを用いるエッチング方法である。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に堆積したCu膜をドライエッチングで加工する際、塩素系ガスにアンモニアガス、酸化窒素系ガスまたは酸化炭素系ガスを添加した混合ガスを用いることを特徴とするエッチング方法。
IPC (2)：
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