AlGaInP系可視光半導体レーザ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西野卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992277212
Publication number (International publication number)：1994132603
Application date： Oct. 15, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】高い寸法精度をもち歩留まりの良いメサストライプ構造のAlGaInP可視光半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1上に、n型AlGaInPクラッド層3、AlGaInP活性層4、p型AlGaInPクラッド層5、及び引っ張り歪みをもつGaInP層6を形成し、該GaInP層6上にメサストライプ型のp型AlGaInPクラッド層7を形成した構造とした。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs基板と、この基板上に設けられたAlGaInPからなる第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、AlGaInPとからなる第2導電型の第2クラッド層とで構成されるダブルヘテロ接合部と、前記第2クラッド層上に形成された引っ張り歪みをもち且つ前記活性層よりバンドギャップエネルギーが大きいGaInPからなるエッチングストッパー層と、該エッチングストッパー層上に形成されたAlGaInPからなるメサストライプ状の第2導電型の第3クラッド層とを含む多層構造を有することを特徴とするAlGaInP系可視光半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

オプトエレクトロニクス半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-114695 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
多ビーム半導体量子井戸レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-162990 Applicant：ゼロックスコーポレイション
特開平4-106991

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