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J-GLOBAL ID：200903040955411878

2個の逃げを有するマイクロ波用パワートランジスタ並びにその製造方法

Inventor： ファン グー タン ,  イブリーヌ オバーム ,  フィリップ フェロン ,  ダニエル デクロア
Applicant, Patent owner： トムソン-セーエスエフ セミコンダクトゥールス スペシフィークス
Agent (1)： 山本 恵一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995027670
Publication number (International publication number)：1995221307
Application date： Jan. 25, 1995
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 2個の逃げ(リセス)をソースとドレイン間に設けて両者間の絶縁破壊電圧を高めるパワートランジスタの製造において、2個の逃げのエッチングを同時に一つのマスクで行うことで、寸法精度の高い障壁を両逃げの間に作り、絶縁破壊電圧をその最大値近くまで高めたパワートランジスタの製造を可能とする。【構成】 一般にパワーを増加させるため高いドレイン-ソース間電圧を受けるマイクロ波用トランジスタは2個の逃げを持っている。ドレイン-ソース間電圧を絶縁破壊電圧の最大値に非常に近くまで高めるとき、逃げの下に展開する空間電荷帯域を引き離しておくのに十分な長さを有する障壁によって、ゲートリセスがドレインリセスから分離されることを特徴としている。従ってマイクロ波用電力回路に適用される。

Claim (excerpt)：

基板で支持され、活性層及び接触層と呼ばれる少なくとも2つの半導体層を含み、ソース及びドレインのメタライズ部の間に2つの逃げを置いた状態でこれらの層自身がエッチングされているトランジスタであって、この2つの逃げの間に障壁を形成する手段を含み、この障壁は100ナノメートルを越える長さを有することを特徴とするマイクロ波用パワートランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 23/04

FI (2)：

H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 W