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J-GLOBAL ID：200903040955769640

シングルエレクトロントランジスタ

Inventor： 和田 恭雄 ,  マーク・ラトビッチ
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993087104
Publication number (International publication number)：1994302806
Application date： Apr. 14, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 動作温度を高くするために必要な量子ドット寸法の縮小と、安定動作を実現するために必要なゲート容量とトンネル容量の比の増大を同時に満足させる高性能シングルエレクトロントランジスタの提供。【構成】 少なくとも一つの量子ドット1と、該量子ドットに接して形成された少なくとも二つのトンネル接合2と、該量子ドットに隣接して形成されたゲート5からなる構造であり、該ゲート5が少なくとも該量子ドット1を実質的に囲んだ構造となっているとともに、さらに基板と基板上に形成された下部ゲートと、該下部ゲート上に形成された量子ドットと、該量子ドット上に、該下部ゲートと電気的に接続されて形成された上部ゲートを備えている。

Claim (excerpt)：

少なくとも一つの量子ドットと、該量子ドットに接して形成された少なくとも二つのトンネル接合と、該量子ドットに隣接して形成されたゲートからなる構造において、該ゲートが少なくとも該量子ドットを実質的に囲んだ構造となっていることを特徴とするシングルエレクトロントランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/68 ,  H01L 29/06