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J-GLOBAL ID：200903040958002677

金属インジウムが内含されている単結晶酸化インジウムナノチューブとその製造方法

Inventor： 板東 義雄 ,  ユパオ・リ ,  デミトリー・ゴルバーグ
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002358692
Publication number (International publication number)：2004189528
Application date： Dec. 10, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス等の分野に応用が期待されている酸化インジウム系の単結晶ナノチューブとその製造方法を提供する。【解決手段】金属インジウムと酸化インジウムの混合粉末を真空下で1000°C〜1500°Cの温度範囲に加熱することにより、単結晶の酸化インジウムナノチューブであり、その中空部に金属インジウムが内含される。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

単結晶の酸化インジウムナノチューブであり、その中空部に金属インジウムが内含されていることを特徴とする金属インジウムが内含されている単結晶酸化インジウム。

IPC (4)：

C30B29/66 ,  C01G15/00 ,  C30B1/04 ,  C30B29/62

FI (4)：

C30B29/66 ,  C01G15/00 B ,  C30B1/04 ,  C30B29/62 A

F-Term (9)：

4G077AA01 ,  4G077AA04 ,  4G077BB10 ,  4G077CA04 ,  4G077CA08 ,  4G077EC02 ,  4G077HA05 ,  4G077JA05 ,  4G077JB07

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Fabrication and characterization of nanotubular semiconductor oxides In2O3 and Ga2O3