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J-GLOBAL ID：200903040969005082

歪多重量子井戸半導体レーザ

Inventor： 鬼頭 雅弘 ,  松井 康
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992207743
Publication number (International publication number)：1994061570
Application date： Aug. 04, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高速動作が可能な歪多重量子井戸半導体レーザを提供する。【構成】 n型InP基板上101上にn型In0.76Ga0.24As0.55P0.45導波路層102、ノンドープIn0.7Ga0.3As/In0.76Ga0.24As0.55P0.45歪多重量子井戸活性層103、p型InPクラッド層104から形成される歪多重量子井戸半導体レーザである。歪多重量子井戸活性層103は10層の層厚3nmのIn0.7Ga0.3As歪井戸層114とIn0.76Ga0.24As0.55P0.45障壁層からなり、基板101側から5層目の障壁層が層厚30nmの歪吸収層115であり、それ以外の8層の障壁層113の層厚が10nmである。この様な構成にすることにより、活性層103内部に転移が無く、正孔の注入効率の悪化もない、高速動作が可能な半導体レーザを容易に得ることが可能となる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板上に形成した、複数の量子井戸と歪吸収層からなる活性層と、前記活性層に隣接したクラッド層を備えており、前記活性層の各井戸層の格子定数が前記化合物半導体基板の格子定数に比べて大きいか、もしくは小さく、前記歪吸収層は前記障壁層と同一材料からなり、前記歪吸収層は前記障壁層に蓄積される歪量が臨界値を越えないようになる場所に形成されており、その層厚は前記歪吸収層内で格子定数が前記化合物半導体基板の格子定数と一致するのに充分であることを特徴とする歪多重量子井戸半導体レーザ。