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J-GLOBAL ID：200903040974213084

新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 原田 裕次 ,  畠山 潤 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  前田 一彦 ,  大谷 充孝 ,  小森谷 治彦
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003075440
Publication number (International publication number)：2004002725
Application date： Mar. 19, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【解決手段】下記一般式(1)で表されるスルホン酸エステル化合物。 (式中、R1〜R3はH、F、又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R4は単結合又はアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基である。R5はフッ素化されたアルキル基である。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れている上に、スルホン酸エステル又はスルホンを含む化合物の共重合体をベース樹脂に用いることによりレジストの透明性、密着性、現像液浸透性が向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有することがわかった。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表されるスルホン酸エステル化合物。

IPC (5)：

C08F28/02 ,  C07C309/67 ,  C07C317/12 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (5)：

C08F28/02 ,  C07C309/67 ,  C07C317/12 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (44)：

2H025AA04 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AB46 ,  4H006AB76 ,  4J100AB07Q ,  4J100AP01P ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100AR21P ,  4J100AR32P ,  4J100AR32Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA55P ,  4J100BA58P ,  4J100BB07P ,  4J100BB07Q ,  4J100BB12P ,  4J100BB17P ,  4J100BB17Q ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC12P ,  4J100BC43Q ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-198939
  
• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-240600   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 特開昭59-139355
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Chemical Abstracts, AN 78:72647